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解析iPhone6Plus召回传闻质量问题如何被夸大-【新闻】

发布时间:2021-05-28 12:42:50 阅读: 来源:花边厂家

解析iPhone 6 Plus召回传闻:质量问题如何被夸大

有关苹果可能召回128GB版本的iPhone 6 Plus手机的消息,让广大果粉十分不安。据称,在安装的应用软件数量过多的情况下,手机系统会出现崩溃死机。

不过,美国科技新闻网站9to5Mac引述苹果消息人士称,召回手机的消息纯属谣言,另外同样的问题早在iOS 6时代就已经存在,但是为何苹果没有解决问题,令人生疑。

召回手机的报道来自《BusinessKorea》媒体。据报道,在iPhone 6

Plus手机所使用的TLC闪存芯片中存在稳定性问题,会影响手机的正常运行和使用,如果这一硬件问题被证实,苹果可能会召回所有已经上市销售的

iPhone 6 Plus。不过,9to5Mac网站引述苹果消息人士称,上述报道纯属猜测,并不准确。

该网站称,早在iOS6操作系统时代,苹果手机用户就遭遇了十分类似的崩溃死机问题,这一问题并非和iPhone 6 Plus手机或者其搭载的iOS8系统有关。目前导致手机系统崩溃的原因尚不明,不过苹果公司内部可能已经知道有这样一个Bug存在。

不过,这家网站的说法同样遭到了业界人士的质疑。如果这样的一个Bug存在于iPhone的几代产品中,而且苹果已经知晓它的存在,那么为何不迟迟修改错误呢?

解析iPhone 6 Plus召回传闻:质量问题如何被夸大

据分析,“引起iPhone崩溃的原因竟然是NAND

FLASHMEMORY(闪存)模块中IC控制单元出现故障,并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH

MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH

MEMORY。因此当用户安装超过700个App时,iPhone便会自己崩溃,更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决,问题

是出在硬件上。”

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么

首先FLASH MEMORY作为闪存设备,是手机类设备的重要存储介质,由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASH

MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型,其中NOR

FLASH属于第一代产品,第一款商用产品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片,不过由于抹写时间较长,成本较高的原因,NOR

FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND

FLASH同样是有东芝公司发明,在1988年的国际固态电路研讨会(ISSCC)所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间,

而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND FLASH相较于NOR

FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。

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在FLASH模块中,数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell,

SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息,这简称为SLC NAND

FLASH,其优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长,不过缺点也很明显:每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来

生产,因此不利于实际生产。

而多阶存储单元(Multi-level cell,

MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据,其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的

值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特,MLC闪存可降低生产成本,但比起SLC闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较

低,因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。

而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元(Triple-Level Cell,

TLC)TLC闪存,它的架构原理与MLC类似,但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢,寿命也比SLC和MLC

短,大约1000次,但是可以做到大容量和低价格。现在,厂商已不使用TLC这个名字,而是称其为3-bit MLC。

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