解析iPhone6Plus召回传闻质量问题如何被夸大-【新闻】

发布时间：2021-05-28 12:42:50 阅读：次来源：花边厂家

解析iPhone 6 Plus召回传闻：质量问题如何被夸大

有关苹果可能召回128GB版本的iPhone 6 Plus手机的消息，让广大果粉十分不安。据称，在安装的应用软件数量过多的情况下，手机系统会出现崩溃死机。

不过，美国科技新闻网站9to5Mac引述苹果消息人士称，召回手机的消息纯属谣言，另外同样的问题早在iOS 6时代就已经存在，但是为何苹果没有解决问题，令人生疑。

召回手机的报道来自《BusinessKorea》媒体。据报道，在iPhone 6

Plus手机所使用的TLC闪存芯片中存在稳定性问题，会影响手机的正常运行和使用，如果这一硬件问题被证实，苹果可能会召回所有已经上市销售的

iPhone 6 Plus。不过，9to5Mac网站引述苹果消息人士称，上述报道纯属猜测，并不准确。

该网站称，早在iOS6操作系统时代，苹果手机用户就遭遇了十分类似的崩溃死机问题，这一问题并非和iPhone 6 Plus手机或者其搭载的iOS8系统有关。目前导致手机系统崩溃的原因尚不明，不过苹果公司内部可能已经知道有这样一个Bug存在。

不过，这家网站的说法同样遭到了业界人士的质疑。如果这样的一个Bug存在于iPhone的几代产品中，而且苹果已经知晓它的存在，那么为何不迟迟修改错误呢？

解析iPhone 6 Plus召回传闻：质量问题如何被夸大

据分析，“引起iPhone崩溃的原因竟然是NAND

FLASHMEMORY（闪存）模块中IC控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH

MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH

MEMORY。因此当用户安装超过700个App时，iPhone便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决，问题

是出在硬件上。”

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么

首先FLASH MEMORY作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASH

MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型，其中NOR

FLASH属于第一代产品，第一款商用产品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR

FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND

FLASH同样是有东芝公司发明，在1988年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间,

而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND FLASH相较于NOR

FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。

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在FLASH模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell,

SLC）设备中，每个单元只存储1比特的信息，这简称为SLC NAND

FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来

生产，因此不利于实际生产。

而多阶存储单元（Multi-level cell,

MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的

值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较

低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。

而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell,

TLC）TLC闪存，它的架构原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC

短，大约1000次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用TLC这个名字，而是称其为3-bit MLC。